Анализ электрических особенностей и динамики роста изолированных верхушек гиф мицелиального гриба Neurospora crassa позволяет утверждать, что циркулирующие в области гифальной верхушки электрические токи определяют скорость роста, обеспечивая транспорт метаболитов непосредственно в зоне удлинения (Асланиди и др., 1996). Мы исследовали зависимость скорости роста изолированных верхушечных фрагментов от их длины для транспортного мутанта N.crassa - "nap" (neutral and acidic amino acid permeability), дефектного по транспорту глюкозы, аминокислот и уридина, а также по активности протонной АТР-азы плазматических мембран. Сравнительный экспериментальный анализ характеристик автономного роста верхушечных фрагментов гиф генетически различных линий N. сrassa: показал, что сопоставимые по размерам с единичным ростовым модулем (300-400 мкм) верхушечные фрагменты мутантного штамма, будучи изолированы от мицелия, оказываются в большинстве случаев не способными к автономному росту, т.е. не могут считаться ростовыми модулями (Потапова и Бойцова, 1997). Скорость роста изолированных фрагментов величиной от 400 до 1300 мкм у мутантного штамма, также как и дикого, зависела в наших опытах от длины фрагмента в соответствии с предсказаниями математической модели, описывающей верхушку гифы как полубесконечный электрический кабель, лишенный источников тока на участке верхушечных 200 мкм. При этом скорость роста фрагментов "nap" всегда была заметно ниже, чем у дикого типа. Предполагается продолжить анализ правил роста гиф дикого типа и мутантных линий N. сrassa в рамках представлений о модульном строении вегетативного мицелия и энергетической кооперации внутри модуля (посредством межклеточных электрических токов) с целью выявления генетических механизмов, определяющих функции отдельного модуля и правил межмодульных взаимодействий при самоорганизации многомодульной системы. Работа подержана грантами РФФИ № 96-04-49567 и № 99-04-49115.